ROHM小型封装内置第4代SiC MOSFET，实现业界超高功率密度
发布时间： 2024-07-31 
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次 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向300kW以下的xEV（电动汽车）用牵引逆变器，开发出二合一SiC封装型模块“TRCDRIVE pack™”，共4款产品（750V 2个型号：BSTxxxD08P4A1x4，1,200V 2个型号：BSTxxxD12P4A1x1）。TRCDRIVE pack™的功率密度高，并采用ROHM自有的引脚排列方式，有助于解决牵引逆变器面临的小型化、效率提升和减少工时等主要课题。
近年来，在致力于实现无碳社会的进程中，汽车的电动化发展迅速，这促进了更高效、更小型、更轻量的电动动力总成系统的开发。另一方面，作为关键器件备受关注的SiC功率器件却面临着难以同时减小尺寸并降低损耗的难题。对此，ROHM开发出TRCDRIVE pack™，可以解决动力系统中的这一课题。
TRCDRIVE pack™是牵引逆变器驱动用SiC封装型模块的专用商标，标有该商标的产品利用ROHM自有的结构，更大程度地扩大了散热面积，从而实现了紧凑型封装。另外，新产品还搭载了低导通电阻的第4代SiC MOSFET，实现了是普通SiC封装型模块1.5倍的业界超高功率密度，非常有助于xEV逆变器的小型化。
此外，该模块在模块顶部配备了“Press fit pin”方式的控制用信号引脚，因此只需从顶部按压栅极驱动器电路板即可完成连接，有助于减少安装工时。不仅如此，还通过尽可能扩大主电流布线中的电流路径和采用双层布线结构，降低了电感值（5.7nH），从而有助于降低开关时的损耗。
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